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长光华芯2022年半年度董事会经营评述

发布时间:2022-09-05源自:本站作者:超级管理员阅读(2)

  长光华芯2022年半年度董事会经营评述公司聚焦半导体激光细分行业,主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”,指利用半导体光—电子(或电—光子)转换效应制成的各种功能器件制造。

  半导体产业是现代信息产业的基础,广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。

  半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域,而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品,由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成,在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。

  半导体激光器引领光子时代,具有电光转换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点,为下游激光器提供不同光子能量,除可以直接使用外,亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源,属于其核心器件及关键部件。因此,根据不同的光子类型,其下游激光器类型众多,应用领域较为广泛,具体情况如下:

  我国在激光技术应用及高端核心技术方面与欧美发达国家存在一定差距,尤其上游半导体激光芯片等核心元器件仍依赖进口。以美国、德国、日本等为代表的发达国家在部分大型工业领域已经基本完成对传统制造技术的替换,步入“光制造”时代;我国激光应用虽发展迅速,但应用渗透率仍相对较低。

  从目前发展情况来看,我国激光行业发展呈现以下几个发展趋势:(1)半导体激光芯片等核心部件逐步实现国产化;(2)激光应用领域渗透速度加快、范围变广;(3)向更高功率、更好光束质量、更短波长及更快频率方向发展;(4)用于高功率激光器的光电子元器件需求进一步增长。

  作为产业升级的核心技术,激光行业将继续作为国家重点支持领域,并不断扩大应用范围,最终推动我国制造业向“光制造”时代迈进。公司将进一步加强技术研发能力,借助国内广阔的市场应用空间丰富产品应用场景,提升产品性能,提升其在激光行业的整体竞争力。

  公司聚焦半导体激光行业,始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势,不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线,已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵,为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于:光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内,公司主营业务未发生重大变动。

  公司牢记“中国激光芯,光耀美好生活”的企业使命,保持对半导体激光芯片的持续研发投入,不断强化技术创新,努力打造自主研发的核心能力。经过多年的研发和产业化积累,针对半导体激光行业核心的芯片环节,公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻)、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和3吋、6吋量产线,应用于多款半导体激光芯片开发,突破一系列关键技术,是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时,依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势,公司业务横向扩展,建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台,另外公司业务向下游延伸,开发器件、模块及终端直接半导体激光器,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。

  公司聚焦半导体激光行业,核心产品为半导体激光芯片,并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力,纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸,横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。

  公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售,通过向下游客户销售半导体激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块等产品的销售。

  对于成熟且有明确行业标准或规格的产品,公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。

  对于新产品,公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先,公司根据客户需求进行产品设计、材料选型、样品制造等,对于芯片、器件类产品,由于涉及的性能参数较多,公司先行实施内部可靠性测试。然后将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后,客户会对公司产品实施可靠性测试。可靠性测试通过后,客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货,多批次同时合格后,会转入批量供货阶段。

  在产品定价策略上,公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本等因素,经过与客户谈判协商后,确定产品价格。

  公司制定了供应商管理制度,对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。根据公司对生产材料的需求,采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商,收集供应商资料,组织对供应商的能力进行调查,要求供应商提供样品,送技术部门进行测试和验证。根据供应商资料、测试或验证结果,综合进行判定并确定合格供应商,加入合格供应商目录。

  公司根据生产计划,综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因素,经审批后与相关供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性,公司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。对于部分主材,考虑外部环境的变化、价格的波动及生产用料的安全性,适当保证一定的库存量。

  对于交期短且单价低的材料,以月或周为单位,向供应商下具体订单采购。对于交期长且成本高的材料,以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。

  同时,公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司的要求及标准。公司对供应商进行定期考核,综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素,进行动态管理。

  公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础,确定研发方向,新产品从概念设计开始先后经历6个阶段,满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。

  由市场销售部牵头,根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容,提出新项目导入申请,填写《产品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人,会签《产品阶段评审表》后交由品质部存档、受控、发行后,新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。

  根据概念设计阶段的资料,项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作,包含:确定技术开发性质,明确客户需求,明确参与人员、预算、工作计划,进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析,评估风险及对应的控制措施等。

  研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析,制定工作计划、质量保证计划,确定外观指标,进行供应商开发评审,并开始试制。样品试制完成后,项目负责人整理产品验证的相关技术资料,并根据样品情况更新原理草图、设计方案,完善技术指标。

  β样品生产前,研发项目团队根据市场销售部识别的信息,适时依:①原理草图、设计方案、外观指标;②质量保证计划、研发预算、成本分析;③安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析等,制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文件,制定正式生产工作计划并实施。β样品生产完成后,研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。

  初步作业标准化试生产前,研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化,进一步进行产品的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、环保分析等,依据β样品试产的技术资料和过程试验报告,制定试生产工作计划并实施。试生产完成后,进行客户认证。

  通过客户认证后,制造中心对产能进行评估,对设备投入实施管理,对人员、潜在失效模式及后果、安全和环境评估等进行分析,确认已具备量产能力,制定生产计划并组织实施。

  公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式,覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程,设计、制造等环节协同优化,有利于公司充分发掘技术潜力,有助于公司率先开发并推行新技术。

  由于公司生产工序较多,生产周期较长,公司实行“订单式”生产为主,结合“库存式”生产为辅的生产方式。“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准,采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排,及时更新客户需求及排产计划。“库存式”生产是指公司根据需求预测进行合理的库存备货,以备生产高峰期产能不足的情况。此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。

  此外,半导体激光行业迅猛发展,产品需求增幅较大,公司为保障生产的稳定性,会策略性地调整主材及通用半成品的库存储备。

  公司针对行业和市场发展动态,逐步探索并明确研发方向及产品演进路线,建立健全研发体系和研发管理制度,加强对研发组织管理和研发过程管理,不断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累,在核心技术方面屡获突破,打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时,针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势,公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累,构建了GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品;横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。依托公司多系列的产品矩阵,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力稳步提升。核心技术先进性及具体表征如下:

  截至2022年6月30日,公司已获授权专利109项,其中发明专利62项、实用新型专利41项、外观专利6项。

  报告期内,公司研发投入总额为5,408.81万元,较上年同期增长44.19%,主要系公司始终重视研发创新能力建设,持续加大研发投入,除高功率芯片模块方向,积极拓展高效率垂直腔面发射激光芯片(VCSEL)系列产品在新型产业的应用,不断提升产品的创新性及领先性。2022年上半年公司投入使用了新的研发中心,截止2022年6月30日,公司研发人员数量增至112人。

  2022年上半年度,公司各项经营数据保持增长势头。公司持续加大对研发的投入,使公司技术不断优化和进步。随着公司新产线的投入使用,产能大幅增加,使公司实现了经营业绩的稳步增长。报告期内,公司经营成果主要情况如下:

  在疫情影响下,公司积极采取措施应对下游需求降低、原材料价格上涨等不利影响,持续加大研发投入和技术创新,并积极拓展国内外市场。2022年上半年公司实现营业收入25,037.83万元,较上年同期增长31.26%;报告期末,公司财务状况良好,总资产额为351,011.76万元,较上年末增长256.95%;归属于上市公司股东的所有者权益为317,063.12万元,较上年末增长397.48%。

  报告期内,研发投入5,408.81万元,研发投入总额占营业收入比例21.60%。研发投入总额较上年同期增长44.19%。公司始终重视研发创新能力建设,持续加大了对高功率芯片模块方向、VCSEL产品方向的投入,保持产品的创新性及领先性。

  高功率半导体激光器广泛用作光纤激光器和固体激光器的泵浦源,或直接半导体激光系统的光源。为了满足光纤激光器、固体激光器和直接半导体激光系统的新兴需求,半导体激光器正朝着更大的制造规模、更高的性能和更低的成本的方向发展。公司已经建立了用于高功率半导体激光芯片的6吋砷化镓晶圆生产线,其中包括MOCVD外延生长和晶圆制造。凭借6吋晶圆生产线,公司每月生产数百万颗用于光纤激光泵浦的芯片。

  在VCSEL市场需求快速增长的驱动下,公司依托IDM模式形成的设计与工艺相结合的综合平台基础,不断创新和优化生产工艺,在国内率先建立了6吋VCSEL产线,并进一步在激光雷达、光通信、医美等领域产品做好开发和交付准备。

  报告期内,公司不断完善内控流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步优化各项制度流程,提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。

  报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项三、可能面对的风险

  公司经过多年的持续研发投入,在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积累。随着半导体激光技术的不断演进,技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入,或者在关键技术上未能持续创新,亦或新产品技术指标无法达到预期,则可能会面临核心技术竞争力降低的风险,导致公司在市场竞争中处于劣势,面临市场份额降低的情况。

  半导体激光行业是技术密集型行业,具有研发投入高、研发周期长、研发风险大及行业技术更新速度快等特点。公司在研发新产品的过程中,也存在下游客户的产品导入和认证过程,需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确把握下游行业客户的应用需求,未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势,无法在新产品、新工艺等领域取得持续进步,可能导致公司产品研发失败,或因稳定性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素,导致公司新产品无法顺利通过下游客户的产品导入和认证,会对公司的经营业绩造成不利影响。

  半导体激光行业属于技术密集型行业,对技术人员的依赖度较高,高素质技术人员是公司核心竞争力的重要组成部分,也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定的研发队伍和技术人员,是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素。截至2022年6月30日,公司拥有研发人员112人,占员工总人数的26.54%。未来,如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等,将难以引进更多的高端技术人才,甚至导致现有骨干技术人员流失,将对公司生产经营产生不利影响。

  报告期内,公司主营业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快,如有新型号、新规格且技术难度较高的产品导入量产,可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工艺技术不能持续进步,则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险,进而影响公司的经营业绩。

  公司的主要产品应用领域为国内工业激光器领域,下游行业集中度较高,并且公司产能有限,大部分产能被用于满足下游主要客户的订单需求。受此影响,公司来自主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方合作关系发生重大不利变化,或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订单需求大幅下滑,可能对公司的经营业绩产生不利影响。

  报告期内,受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响,公司单管芯片产品价格和光纤耦合模块产品价格呈下降趋势。若未来产品价格持续下降,而公司未能采取有效措施,巩固和增强产品的综合竞争力、降低产品生产成本,公司可能难以有效应对产品价格下降的风险,导致利润率水平有所降低。

  公司产品处于激光行业产业链上游,其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设备、激光雷达及消费电子等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动,导致工业激光器等终端市场需求下降,或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用场景不成熟等因素导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期,将对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。

  近年来,在产业政策和地方政府的推动下,国内半导体激光行业呈现出较快的发展态势,市场参与者数量不断增加。与此同时,国外企业也日益重视国内市场。在国际企业和国内新进入者的双重竞争压力下,公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势,可能对公司产品的销售收入和利润率产生一定负面影响。

  未来如果行业增长趋势减缓或行业出现负增长,可能会在存量市场中出现竞争加剧、产品需求下降等导致行业参与者销售收入降低的情形。公司所处行业发生不利变化将有可能直接影响公司的业务收入,从而对公司的经营产生不利影响。

  公司的核心技术为从外延生长、晶圆工艺处理、镀膜、到封装和测试等全流程芯片制造技术,公司通过申请专利对自主知识产权进行保护,该等知识产权对公司未来发展具有重要意义,但无法排除关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的风险。同时,公司一贯重视自主知识产权的研发,避免侵犯他人知识产权,但无法避免竞争对手或其他利益相关方采取恶意诉讼的策略,从而阻碍公司正常业务发展。

  公司通过不断积累和演化已形成了较为丰富的技术秘密,其对公司发展具有重要意义。公司制定的相关技术保密制度、与员工签署的《保密协议》等无法完全防范技术泄露问题,不能排除未来因员工违反相关制度和协议、员工离职等因素导致的非专利技术和技术秘密泄露的风险。

  公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业,专利和技术投资、固定资产投资的需求较高,尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂,规模化生产所需的生产线建设投入较大。

  此外,公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后,公司固定资产等长期资产将继续增加,固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长,可能导致产品单位成本中单位制造费用较高,进而影响产品毛利率水平,使得公司业绩下降。

  公司股权相对分散,不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策由股东大会和董事会按照公司议事规则讨论后确定,但不排除存在因无控股股东、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时,分散的股权结构导致公司上市后有可能成为被收购的对象,从而导致公司控制权发生变化,给公司生产经营和业务发展带来潜在的风险。

  公司首次公开发行完成后,随着募投项目的实施,公司的资产规模和业务规模将进一步扩大,员工人数将相应增加,需要公司在资源整合、市场开拓、技术研发与质量管理、内部控制等诸多方面进行调整优化,对各部门工作的协调性、严密性、连续性也提出了更高的要求。公司经营决策、组织管理、风险控制的难度也随之加大,公司存在因经营规模扩大导致的经营管理风险。

  公司重视产品质量管理,建立了严格的质量控制制度,在产品生命周期内进行全流程监控,建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系,并通过了ISO9001体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等,若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题,将会对公司品牌形象、市场拓展、经营业绩产生不利影响。四、报告期内核心竞争力分析

  公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。公司通过非对称的波导结构设计,让有源层更靠近p型限制层,且p型限制层的折射率大于n型限制层,在不改变光场模式曲线的情况下,实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构,改善了近场模式和远场输出特性;增大发光面积,相对减小输出光功率密度,在增加输出功率的同时保证器件寿命。

  公司采用分布式载流子注入技术,通过图形化电极实现载流子的调制注入,平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布,解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应,最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布,进一步提升半导体激光器的输出功率。

  公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案,制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构,大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生,提高芯片抗损伤阈值,最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。

  公司研究的多有源区级联的半导体激光器中,让各个小数量的量子阱堆叠,分布在周期性光场的每一个峰的中心,每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置,增加了腔内增益,降低了器件的阈值,并不会增加材料的内损耗,从而提高了激光器的功率和效率。相邻两有源区之间通过势垒层连接,该设计可以显著提高VCSEL的转换效率,VCSEL效率超过60%。

  公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔,每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配,所有激光单元保持输出波长一致性,从而实现波长锁定,由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。

  公司自成立以来,始终专注高功率半导体激光芯片的研发与生产,目前商业化单管芯片输出功率达到35W,巴条芯片连续输出功率达到250W(CW),准连续输出1000W(QCW),VCSEL芯片的最高转换效率60%以上,产品性能指标与国外先进水平同步,打破国外技术封锁和芯片禁运,逐步实现了半导体激光芯片的国产化。另外,在激光器件封装、光束整形、合束耦合、直接半导体激光系统等领域拥有丰富的产品研制与生产经验,成功开发了多款光纤耦合模块及直接半导体激光器等产品。

  公司已建成3吋、6吋半导体激光芯片量产线,拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备,并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线吋量产线为该行业内最大尺寸的产线,相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化,实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产,芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。

  公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售,掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节,已建成3吋及6吋半导体激光芯片量产线,构建了GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,具备各类以GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)为衬底的半导体激光芯片的制造能力。

  公司深耕半导体激光芯片领域多年,核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验,并且公司高度重视聚集和培养专业人才,在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上,针对性地引入专业人才。目前,公司已构建一批高层次的人才队伍,包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣,承担多项国家级及省级重大科研项目。另外,公司已获批成立“半导体激光芯片研究中心”、“国家级博士后工作站”及“江苏省研究生工作站”,打造了一支在国内领先且具有较强综合实力的技术研发团队,该团队已获批为江苏省“双创团队”和姑苏重大创新团队。

  公司始终以自身平台为基础,旨在“十三五”及“十四五”期间培养一支新成长技术力量,并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院等国内高等学府与科研院所,签订产学研合作协议,建立联合实验室,推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究,进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。

  公司拥有10年以上高功率半导体激光芯片研发及规模化生产经验,并具备从芯片设计、外延、光刻、解理/镀膜、封装测试及光纤耦合、直接半导体激光器等完整工艺平台,成功实现各系列半导体激光芯片的量产,且质量控制能力较强。公司产品包括高功率半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器等,产品覆盖半导体激光行业全产业链,满足下游客户的各种产品需求,并且基于完整的工艺平台和成熟的人才储备,公司可以快速响应客户需求,为下游客户提供新产品,满足新需求。2017年,iphoneX搭载VCSEL用于人脸识别功能,开启了VCSEL于消费电子领域的应用。公司基于成熟的高功率半导体激光芯片的技术积累,迅速开展VCSEL的研发工作,已经攻克了材料外延生产的精确控制、稳定性以及激光电流的氧化限制控制难题。

  公司凭借先进的半导体激光芯片技术水平及制造工艺,公司产品质量、性能及可靠性得到客户的认可,已具备向多元化应用市场及多层级行业客户提供产品的能力。半导体激光芯片的导入需要经过下游客户的性能、可靠性等验证通过,验证周期较长,下游客户更换芯片供应商的成本也较高,双方之间的合作绑定较为紧密。凭借深厚的研发实力、持续的创新能力,在工业激光器、激光加工设备等领域,公司积累了行业龙头及知名企业客户。同时,在高能激光器的应用方面,公司为高功率光纤激光器和高功率全固态激光器提供泵浦源,广泛服务于多家国家级骨干单位。

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  近期的平均成本为126.62元,股价在成本下方运行。该股资金方面呈流出状态,投资者请谨慎投资。该公司运营状况不佳,但多数机构认为该股有长期投资价值。

  限售解禁:解禁1636万股(预计值),占总股本比例12.07%,股份类型:首发原股东限售股份,首发战略配售股份。(本次数据根据公告推理而来,实际情况以上市公司公告为准)

  限售解禁:解禁198.2万股(预计值),占总股本比例1.46%,股份类型:首发一般股份。(本次数据根据公告推理而来,实际情况以上市公司公告为准)

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